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1一样平时专业术语
1.1真空镀膜机vacuum coating：在处在真空泵下的硅片上制得膜层的一种方式。
1.2硅片substrate：膜层承担体。
1.3实验硅片testing substrate：在表层的镀膜逐渐、表层的镀膜全过程中或表层的镀膜完毕后作为精确测量和（或）实验的硅片。
1.4镀膜材料coating material：用于制得膜层的原料。
1.5挥发原材料evaporation material：在真空蒸发中用于挥发的镀膜材料。
1.6磁控溅射原材料sputtering material：有真空泵磁控溅射中用于磁控溅射的镀膜材料。
1.7膜层原材料(膜层材料)film material：构成膜层的原材料。
1.8挥发速度evaporation rate：在给准间隔时间内,挥发出去的原材料量,除于该间隔时间
1.9磁控溅射速度sputtering rate：在给准间隔时间内,磁控溅射出去的原材料量,除于该间隔时间。
1.10堆积速度deposition rate：在给准间隔时间内,堆积在硅片上的原材料量,除于该间隔时间和硅片外型积。
1.11表层的镀膜视角coating angle：出射到硅片上的颗粒方位与被镀外型法线中间的交角。
2加工工艺
2.1真空泵蒸膜vacuum evaporation coating：使镀膜材料挥发的真空镀膜机全过程。
2.1.1与此同时挥发simultaneous evaporation：用多个冷凝器把各种各样挥发原材料与此同时蒸镀到硅片上的真空蒸发。
2.1.2挥发场挥发evaporation field evaporation：由挥发场与此同时挥发的原材料到硅片上开展蒸镀的真空蒸发(此加工工艺运用于大规模挥发以得到到理想化的膜厚遍布)。
2.1.3反映性真空蒸发reactive vacuum evaporation：根据与汽体反映获得理想成分的膜层原材料的真空蒸发。
2.1.4冷凝器中的反映性真空蒸发reactive vacuum evaporation in evaporator：与冷凝器中各种各样挥发原材料反映,而获得理想成分膜层原材料的真空蒸发。
2.1.5立即加温的挥发direct heating evaporation：挥发原材料挥发所必需的发热量是对挥发原材料(在钳锅中或无需钳锅)自身蒸煮的挥发。
2.1.6电磁感应加热挥发induced heating evaporation：挥发原材料根据磁感应涡旋加温的挥发。
2.1.7电子束蒸发electron beam evaporation：根据电子器件负电子使挥发原材料加温的挥发。
2.1.8激光挥发laser beam evaporation：根据激光加温挥发原材料的挥发。
2.1.9间接性加温的挥发indirect heating evaporation：在加温安装(比如偏舟形冷凝器,钳锅,钨丝,发热板,电热棒,螺旋式电磁线圈等)使得挥发原材料得到挥发所必需的发热量并根据导热或辐射热方法传送给挥发原材料的挥发。
2.1.10闪蒸flash evaportion：将少量的挥发原材料中断地做瞬间的挥发。
2.2真空泵磁控溅射vacuum sputtering：在真空泵中，稀有气体正离子从靶外型上负电子出分子（分子结构）或原子团的全过程。?
2.2.1反映性真空泵磁控溅射?reactive vacuum sputtering：根据与汽体的反映获得理想成分的膜层原材料的真空泵磁控溅射。
2.2.2?偏压磁控溅射bias sputtering：在磁控溅射全过程中，将偏压增加于硅片及其膜层的磁控溅射。
2.2.3?直流电二级磁控溅射direct current diode sputtering：根据二个电级间的直流电压，使汽体腼腆充放电并把靶做为负极的磁控溅射。
2.2.4非对称沟通交流磁控溅射asymmtric alternate current sputtering：根据二个电级间的非对称交流电流，使汽体腼腆充放电并把靶做为汲取比较大共价键流的电级。
2.2.5高频率二极磁控溅射high frequency diode sputtering：根据二个电级间的高频率工作电压得到高频放电进而靶极得到负电荷位的磁控溅射。
2.2.6热阴极直流溅射（三极型磁控溅射）hot cathode direct current sputtering：凭借热阴极和阳极氧化得到非腼腆汽体充放电，汽体充放电所形成的正离子，由在正极和负极（靶）中间所增加的工作电压加快而负电子靶的磁控溅射。
2.2.7?热阴极高频率磁控溅射（三极型磁控溅射）hot cathode high frequency sputtering：凭借热阴极和阳极氧化得到非腼腆汽体充放电，汽体充放电造成的正离子，在靶外型负电荷位的效果下加快而负电子靶的磁控溅射。
2.2.8电子束磁控溅射ion beam sputtering：行驶尤其的离子源得到的电子束使靶的磁控溅射。?
2.2.9电弧放电清理glow discharge cleaning：行驶电弧放电基本原理，使硅片及其膜层外型承受汽体充放电负电子的清理全过程。
2.3物理学气相色谱堆积；PVD physical vapor deposition：在真空泵情况下，镀膜材料经挥发或磁控溅射等物理方法汽化，堆积到硅片上的一种制得膜层的方式。
2.4化学气相沉积；CVD chemical vapor deposition：毫无疑问有机化学配制的反映汽体，在特殊激话标准下（通常是毫无疑问高的溫度），根据气相色谱化学变化转化成新的膜层原材料堆积到硅片上制得膜层的一种方式。
2.5磁控溅射magnetron sputtering：凭借靶外型上产生的正交和磁�。讯蔚缱庸苁诎型庑吞厥獾厍醇忧克馓樱岣哒胱酉喽悦芏群投埽虼丝稍诘脱梗蟮缌髁肯禄竦煤芨叽趴亟ι渌俣�。
2.6?等离子化学气相沉积；PCVD plasma chemistry vapor deposition：根据充放电造成的等离子推动气相色谱化学变化，在较低温度下，在硅片上制得膜层的一种方式。
2.7中空负极等离子喷涂HCD hollow cathode discharge deposition： 行驶中空负极发送很多的离子束，使钳锅内镀膜材料挥发并水解，在硅片上的负偏压功效下，正离子具备较高动能，堆积在硅片外型上的一种表层的镀膜方式。
2.8电孤等离子喷涂arc discharge deposition：以镀膜材料做为靶极，凭借开启安装，使靶外型造成电光充放电，镀膜材料在电孤功效下，造成无熔合挥发并堆积在硅片上的一种表层的镀膜方式。
3专用型构件
3.1表层的镀膜室coating chamber：真空镀膜设备中执行实际表层的镀膜全过程的构件
3.2冷凝器安装evaporator device：真空镀膜设备中包含冷凝器和如数为其工作中所有必要的安装(比如电磁能供货、送料和制冷安装等)以内的构件。
3.3冷凝器evaporator：挥发立即在内部开展挥发的安装,比如偏舟形冷凝器,钳锅,钨丝,发热板,电热棒,螺旋式电磁线圈这些,必须时还包含挥发原材料自身。
3.4立即加热型冷凝器evaporator by direct heat：挥发原材料自身被加温的冷凝器。
3.5间接性加热型冷凝器evaporator by indirect heat：挥发原材料根据导热或辐射热被加温的冷凝器。
3.6挥发场evaporation field：由多个排序的冷凝器加温类同挥发原材料产生的场。
3.7磁控溅射安装sputtering device：包含靶和磁控溅射所须要的协助安装(比如配电安装,汽体导进安装等)以内的真空泵磁控溅射机器设备的构件。
3.8靶target：用颗粒负电子的面。本规范中靶的含义便是磁控溅射安装中由磁控溅射原材料所构成的电级。
3.9隔板shutter：用于在時间上和(或)室内空间上限制表层的镀膜并借此机会能做到毫无疑问膜厚遍布的安装。隔板可以是确定的还可以是健身运动的。?
3.10时控隔板timing shutter：在時间可以用于限制表层的镀膜,因而从表层的镀膜的逐渐、终止到终止都能按规准时时刻刻开展的安装。
3.11掩膜mask：用于瞒报一部分硅片,在室内空间可以限制表层的镀膜的安装。
3.12硅片支撑架substrate holder：可立即夹紧硅片的安装,比如夹紧安装,架构和相近的夹紧器材。
3.13夹持安装clamp：在镀膜设备选用或无需硅片支撑架支撑一个硅片或好多个硅片的安装,比如夹盘,夹鼓,球型夹罩,夹篮等。夹持安装可以是确定的或健身运动的(转动架,行星齿轮系等)。
3.14换相安装reversing device：在真空镀膜设备中,不开启机器设备能将硅片、实验夹层玻璃或掩膜放进理想化部位上的安装(硅片电机换向器,实验夹层玻璃电机换向器,掩膜电机换向器)。
3.15硅片加温安装substrate heating device：在真空镀膜设备中,根据加温能使一个硅片或好多个硅片做到理想化溫度的安装。
3.16硅片制冷安装substrate colding device：在真空镀膜设备中,根据制冷能使一个硅片或好多个硅片做到理想化溫度的安装。
4真空镀膜设备
4.1真空镀膜设备vacuum coating plant：在真空泵情况下制得膜层的机器设备。
4.1.1真空蒸发镀膜设备vacuum evaporation coating plant：凭借挥发开展真空镀膜机的机器设备。
4.1.2真空泵磁控溅射镀膜设备vacuum sputtering coating plant：凭借真空泵磁控溅射开展真空镀膜机的机器设备。
4.2持续镀膜设备continuous coating plant：被表层的镀膜东西（散件或非晶带材）持续地从大气压力通过工作压力梯段进到到一个或多个表层的镀膜室，再通过回应的工作压力梯段，承继摆脱机器设备的持续式镀膜设备。
4.3半持续镀膜设备semi- continuous coating plant：被镀东西根据水利闸门送进表层的镀膜室并从表层的镀膜室取出的真空镀膜设备。
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